Ринкова капіталізація Samsung перевищила $1 трильйон через ажіотаж навколо штучного інтелекту
Про це повідомляє CNBC, передає Укрінформ.
Samsung стала другою азіатською компанією після TSMC, яка перетнула позначку в 1 трильйон доларів.
Зростанню компанії посприяли два чинники. Перший - оприлюднення минулого тижня рекордних результатів щодо прибутку Samsung Electronics за перший квартал, який зріс більш ніж у вісім разів до 57,2 трлн вон. Таким чином прибуток за перший квартал перевищив річний прибуток компанії за 2025 рік, який склав 43,6 трлн вон. І другий - це повідомлення про те, що Apple провела попередні переговори з Samsung та Intel щодо виробництва чіпів для пристроїв Apple у США, що потенційно дозволить диверсифікувати постачальників, виходячи за межі довгострокового постачальника TSMC.
Продажі чіпів пам'яті з високою пропускною здатністю (HBM) сприяли зростанню прибутковості Samsung, проте компанія продовжує стикатися з жорсткою конкуренцією, втративши своє лідерство на ринку HBM на користь конкурента SK Hynix. У лютому Samsung заявила, що стала першою компанією у світі, яка розпочала серійне виробництво чіпів HBM4 та почала постачання їх неназваним замовникам.
HBM4 — це шосте і найновіше покоління технології пам'яті з високою пропускною здатністю. Очікується, що ці мікросхеми відіграватимуть ключову роль у майбутній архітектурі штучного інтелекту Nvidia Vera Rubin, призначеній для виконання складних завдань штучного інтелекту в центрах обробки даних.
Аналітики зазначають, що різке зростання акцій Samsung Electronics підживлюється стрімким зростанням попиту на пам'ять для штучного інтелекту, скороченням пропозиції та підвищенням конкурентоспроможності у сфері виробництва мікросхем пам'яті з високою пропускною здатністю. «Існує величезний дефіцит чіпів пам'яті DRAM і NAND через шалений попит на штучний інтелект, який дуже «пожирає» пам'ять через високі вимоги до пропускної здатності та обсягу зберігання», — зазначив аналітик з технологічних акцій Morningstar Ю Цзин Цзе.
Мікросхеми DRAM — це швидкі енергозалежні мікросхеми пам'яті, які тимчасово зберігають дані під час їх активної обробки процесорами, тоді як мікросхеми NAND — це повільніші енергонезалежні мікросхеми пам'яті, які зберігають дані навіть після вимкнення пристроїв.
За словами аналітиків, відгуки клієнтів про останні продукти HBM4 від Samsung були позитивними, що допомогло скоротити технологічний розрив із SK Hynix.
Як повідомляв Укрінформ, Samsung Electronics планує витратити цього року понад 110 трильйонів вон. (73,3 мільярда доларів США) на дослідження та розширення виробництва мікросхем на базі штучного інтелекту.
Фото: Babak Habibi on Unsplash
